AI繁荣背景下,存储芯片的这波“超级周期 ” ,或比以往更加持久一些。
据《韩国经济日报》报道,三星电子、SK海力士等主要内存供应商,将在今年第四季度继续向客户调整报价 。幅度上,包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30% ,从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。
整体而言,本轮涨价幅度略高于预期。早在9月下旬,三星电子便已发出第四季度提价通知 ,当时的计划是将部分DRAM价格上调15%至30%,NAND闪存价格上调5%至10%。而回到当下,根据花旗集团和摩根士丹利在其半导体行业分析报告中所预测 ,第四季度DRAM平均售价将上涨25-26%,比上一季度上涨10%以上,涨价热潮或进一步加剧 。
需要承认 ,存储芯片行业正加速迈入“超级周期”几乎已成为市场不争的共识。如存储模组大厂威刚董事长陈立白判断,第四季度仅仅是存储严重缺货的起点,明年存储产业将继续处于供货吃紧状态。
对存储芯片供应趋紧的预判则进一步加剧了市场的囤货行为 。另据《朝鲜日报》报道 ,由于担心DRAM短缺,几家领先的国际电子和服务器公司正在囤积内存,并与三星和SK海力士洽谈签订2至3年长期供应协议,与以往按季度或年度签订合同的传统形成鲜明对照。
存储芯片进入“超级周期”的源头何在?归根结底 ,离不开AI和高性能计算需求的爆发。
正如美光公司首席商务官苏米特·萨达纳(Sumit Sadhana)所言,DRAM价格上涨部分原因是供应紧张,而这一趋势很大程度上是由HBM需求激增推动的 ,因为HBM消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多 。而根据摩根士丹利预测,今年包括谷歌 、亚马逊、Meta、微软在内的科技巨头,将在人工智能基础设施上投入4000亿美元。
也因此 ,国内外存储厂商纷纷将优先布局HBM相关的先进封测领域作为其经营策略。10月20日消息,三星正在加紧推进HBM4的研发,计划于10月27日至31日进行发布 ,并于今年晚些时候量产 。上市公司方面,佰维存储于10月21日在互动平台表示,公司的晶圆级先进封测制项目正处于投产准备过程中 ,公司正加紧惠州封测制造中心的产能扩建。
从价格趋势来看,TrendForce预测,2025年HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%,达到1.80美元/Gb ,盈利能力可观。另有机构预计明年上市的12层HBM4产品单价将达到500美元,比售价约300美元的12层HBM3e高出60%以上 。
不过,随着人工智能投资从大容量数据训练转向推理 , DRAM需求增长也有望跑出加速度。根据韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计,若当前涨势持续,明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能将超越HBM。
展望未来 ,上海证券研报表示,AI需求旺盛推动存储需求的增长,同时由于海外原厂产能限制 ,2025年第四季度存储涨价趋势预计持续,看好本轮存储大周期。也有保守声音如华邦电董事长焦佑钧指出,当前DRAM供需不平衡 ,有可能实际需求并无这么多,不过如今仍处在供不应求的状况,致使缺口产生,供给不足下导致价格狂飙 。
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